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摘要：本公开提供了一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆包括衬底和位于所述衬底沿第一方向相对的两侧中的一侧的键合表面；所述第一方向为所述第一晶圆的厚度方向；将所述第一晶圆与所述第二晶圆临时键合，并在所述键合表面与所述第二晶圆之间形成临时键合层；以所述第二晶圆为阻挡层对所述第一晶圆进行激光切割。
主权项：1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆包括衬底和位于所述衬底沿第一方向相对的两侧中的一侧的键合表面；所述第一方向为所述第一晶圆的厚度方向；将所述第一晶圆与所述第二晶圆临时键合，并在所述键合表面与所述第二晶圆之间形成临时键合层；以所述第二晶圆为阻挡层对所述第一晶圆进行激光切割。
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