买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
摘要:本申请涉及靶材制备技术领域,提供了一种硅靶材及其制备方法和光学器件。制备方法包括:利用气态硼烷对第一硅粉进行硼扩散处理,得到含有硼和氢的硅复合粉;将含有硼和氢的硅复合粉和第二硅粉进行球磨混合,得到混合粉;将所述混合粉热喷涂到背管上,然后机加工得到硅靶材。本申请提供的硅靶材的制备方法,通过对第一硅粉进行硼扩散处理,使气态硼烷裂解成硼原子和氢原子并通过晶界扩散进入硅粉中形成含有硼和氢的硅复合粉,作为高硼含量的母合金,使硼和硅具备相同的沉积率,从而精确控制靶材的硼含量,同时硅复合粉在热喷涂过程中会发生氢脱除释放氢气创造还原环境,因此能在常压、大气气氛下喷涂,并能防止硅氧化,降低硅靶材氧含量和电阻率。
主权项:1.一种硅靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:利用气态硼烷对第一硅粉进行硼扩散处理,得到含有硼和氢的硅复合粉;将所述含有硼和氢的硅复合粉和第二硅粉进行球磨混合,得到混合粉;将所述混合粉热喷涂到背管上,然后机加工得到硅靶材。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳众诚达应用材料股份有限公司 一种硅靶材及其制备方法和光学器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。