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复合衬底及其制造方法 

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摘要:本披露提供一种形成在SiC单晶衬底上的含碳层的层数差异降低至1层以下的复合衬底。此外,本披露提供一种复合衬底的制造方法。本披露的复合衬底具备:SiC单晶衬底,具有偏离角;以及含碳层,与SiC单晶衬底的表面相接地配置,且包含重构表面层和石墨烯层层叠而成的层叠体或石墨烯层的任意一种;且在SiC单晶衬底的最外表面为Si终止面的情况下,在SiC单晶衬底的上方配置有层叠体,且配置有1层或2层石墨烯层,在SiC单晶衬底的最外表面为C终止面的情况下,在SiC单晶衬底的上方配置有1层或2层石墨烯层。

主权项:1.一种复合衬底的制造方法,其包括如下步骤:使用能够以分子层等级进行控制的沉积方法将包含碳的薄膜沉积在SiC单晶衬底上;以及实施热处理,使用由所述薄膜所供给的碳在所述SiC单晶衬底上形成含碳层,所述含碳层包含重构表面层和石墨烯层层叠而成的层叠体或石墨烯层的任意一种;且所述SiC单晶衬底上的所述含碳层的层数差异为1层以下。

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