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摘要：本发明提出了一种三维芯片结构分析的体‑面积分方程混合求解方法，包括步骤：步骤1：建立表征金属部分电场强度的面积分方程；步骤2：建立表征介质部分电、磁场强度的体积分方程；步骤3：通过场的耦合得到VSIEs；步骤4：采用MoM‑Nystrom混合算法求解VSIEs。本发明首次公开将Nystrom方法应用于体‑面积分方程的求解，由于Nystrom方法具有不依赖共形网格、对网格内部的材料本征参数的要求低的特性，在求解体‑面积分方程时大大减少了传统方法的未知数个数，极大降低了求解难度。本发明使用Nystrom方法离散体‑面积分方程中的体积分部分，并首次给出了Nystrom方法处理体积分方程的推导公式，对该技术进行了详细的细节说明，可广泛应用于在三维芯片结构分析。
主权项：1.一种三维芯片结构分析的体-面积分方程混合求解方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：建立表征金属部分电场强度的面积分方程；步骤2：建立表征介质部分电、磁场强度的体积分方程；步骤3：通过场的耦合得到VSIEs；步骤4：采用MoM-Nystrom混合算法求解VSIEs。
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百度查询： 同济大学 一种三维芯片结构分析的体-面积分方程混合求解方法
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