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摘要：一种刻蚀补偿方法，包括：获取药液刻蚀第一批次晶圆表面预设厚度的待刻蚀层所需要的初始刻蚀时间；获取药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数；获取致使药液刻蚀速率衰减的关联参数；将衰减系数和关联参数的乘积结果和初始刻蚀时间相加作为待刻蚀晶圆的实际刻蚀时间。通过获取药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数、以及致使药液刻蚀速率衰减的关联参数，进而计算得到待刻蚀晶圆的补偿刻蚀时间，以此减小药液使用时刻蚀速率衰减带来刻蚀量减少的问题。在药液的整个使用周期中无需更换药液，能够有效减少药液浪费，而且根据每一批次晶圆的关联参数不同，可以进行针对性的刻蚀时间补偿，使得每一批次晶圆都能够获取更加精细的补偿刻蚀时间。
主权项：1.一种刻蚀补偿方法，其特征在于，包括：获取药液刻蚀第一批次晶圆表面预设厚度的待刻蚀层所需要的初始刻蚀时间；获取所述药液在刻蚀过程中刻蚀速率衰减的衰减系数；获取在刻蚀待刻蚀晶圆之前，致使所述药液刻蚀速率衰减的关联参数；将所述衰减系数和所述关联参数的乘积结果作为所述待刻蚀晶圆的补偿刻蚀时间；将补偿刻蚀时间与所述初始刻蚀时间相加结果作为所述待刻蚀晶圆的实际刻蚀时间。
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百度查询： 宝鼎乾芯集成电路(杭州)有限公司 刻蚀补偿方法
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