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摘要：本发明公开了一种匹配单晶硅电池片扩散高方阻提效的加工工艺，包括以下操作步骤：将待扩散的硅片放于扩散炉中，升温至780℃，同时通入3000sccm大N2和1000sccm小N2闭管抽低压；待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至820℃，同时通入2000sccm大N2，600sccm的小N2，时间为300s。本发明所述的一种匹配单晶硅电池片扩散高方阻提效的加工工艺，高阻可以有效的提高电池转换效率，而高方阻低表浅结的设计可以有效降低了表面的杂质复合中心，提高了表面少子的存活率，同时增加短波的响应，如此有效的增加了Isc和Uoc，达到提高效率的目的，通过LECO与烧结温度进行匹配，在提高Uoc、Isc的同时，可有效提高FF，达到效率提效0.03%目的。

主权项：1.一种匹配单晶硅电池片扩散高方阻提效的加工工艺，其特征在于：包括以下操作步骤：S1：将待扩散的硅片放于扩散炉中，升温至780℃，同时通入3000sccm大N2和1000sccm小N2闭管抽低压；S2：待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至820℃，同时通入2000sccm大N2，600sccm的小N2，时间为300s，管压控制135mbar；S3：继续将炉内各温区的温度控制在820℃，同时通入1200sccmO2和600sccm的小N2，暂不通磷源，时间为180s，管压控制135mbar；S4：继续将炉内各温区的温度控制在820℃，同时通入2500sccm大N2，550sccmO2和120sccm的BCl3以及600sccm的小N2，时间为210s，管压控制135mbar；S5：温度稳定后，将炉内各温区的温度升至850℃，通入3000sccm大N2，和600sccm的小N2，时间为60S，管压控制135mbar；S6：继续将炉内各温区的温度控制在850℃，同时通入2500sccm大N2和550sccm的小O2，140sccm的BCl3以及600sccm的小N2，时间为210s，管压控制135mbar；S7：继续将炉内各温区的温度升到至890℃，同时通入3000sccm大N2和600sccm的小N2，时间为1170s，管压控制150mbar；S8：温度稳定后，将炉内各温区的稳定至890℃，同时通入15000sccm大N2和2000sccm的小N2，时间为60s，管压控制900mbar；S9：继续将炉内各温区的温度升到至1000℃，同时通入25000sccm的大O2，和2000sccm的小N2，时间为720s，管压控制900mbar；S10：继续将炉内各温区的温度升到至1040℃，同时通入28000sccm的大O2，和3000sccm的小N2，时间为3600s，管压控制900mbar；S11：继续将炉内各温区的温度升到至1040℃，同时通入2500sccm大N2和26000sccm的大O2，和2000sccm的小N2，时间为600s，管压控制900mbar；S12：将炉内各温区的温度降至800℃，同时通入2500sccm大N2和10000sccm的大O2以及2000sccm的小N2，时间为2100s，管压控制900mbar；S13：将炉内各温区的温度降至780℃，同时通入15000sccm大N2和2000sccm的小N2，时间为600s，管压控制900mbar；S14：将炉内各温区的温度降至780℃，同时通入15000sccm大N2和2000sccm的小N2，时间为120s，管压控制900mbar；S15：继续降温，回压，取出硅片。

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