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摘要：本发明公开了一种适用于带隙基准的零温度系数欠压保护电路，包括5个增强型PMOS管、2个增强型NMOS管、3个NPN型晶体管和5个电阻，MP1、MP2和MP3为共栅极结构；Q1与Q2为共基极结构；Q3的集电极连接MP3的漏极，Q3的基极通过R3连接基准电压；MP4的栅极连接MP3的漏极，MP4的漏极连接NM1的漏极；MN1的栅极接VBIAS信号；MP5的漏极接MN2的漏极并连接至VUVLO信号。本发明用共栅极结构的增强型PMOS管优化带隙基准电路，改善缓冲结构，避免使用比较器和耗尽型MOS管，能提供与温度无关的欠压保护，还降低功耗与噪声，提升续航。
主权项：1.一种适用于带隙基准的零温度系数欠压保护电路，用于在不使用比较器和耗尽型MOS管的情况下保护电路，其特征在于，包括5个增强型PMOS管、2个增强型NMOS管、3个NPN型晶体管和5个电阻，5个增强型PMOS管分别为MP1、MP2、MP3、MP4和MP5，2个增强型NMOS管分别为MN1和MN2，3个NPN型晶体管分别为Q1、Q2和Q3，5个电阻分别为R1、R2、R3、R4和R5；其中，MP1的源极接基准电源，MP1、MP2和MP3为共栅极结构；MP2的源极接基准电源，漏极通过电阻R2后分别与Q2的基极和集电极相连，Q2的发射极接地；Q1与Q2为共基极结构，Q1的集电极连接至MP1的栅极，Q1的发射极经过R1后接地；Q3的发射极通过R5后接地，Q3的集电极与MP3的漏极相连，Q3的基极分别通过R3连接至基准电压和通过电阻R4接地；MP3的源极接基准电源；MP4的源极接基准电源，MP4的栅极与MP3的漏极相连，MP4的漏极连接至NM1的漏极；MN1的栅极接VBIAS信号，VBIAS信号用于给MN1提供偏置电压，MN1的源极接地；MP5的源极接基准电源，MP5的栅极接MP4的漏极，MP5的漏极接MN2的漏极并连接至VUVLO信号，VUVLO信号用于控制欠压电路的阈值电压；MN2的源极接地，MN2的栅极与MP5的栅极相连。
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百度查询： 江苏华创微系统有限公司 一种适用于带隙基准的零温度系数欠压保护电路
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