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摘要：本发明公开了一种射频垂直过渡结构，涉及电子元器件技术领域。本发明通过在多层堆叠的氮化铝陶瓷电路基板形成的从上至下的三个堆叠结构中，第一堆叠结构上设置微带线，第二堆叠结构中夹设带状线，在第一堆叠结构和第二堆叠结构上设置中心垂直过孔和周围的准同轴金属通孔，在中心垂直过孔中设置垂直互联中心导体，以垂直互联中心导体连接微带线和带状线，形成微带线‑垂直过渡‑带状线的转换结构，第三堆叠结构对应垂直过渡部分处设置锥形空气腔，使锥形空气腔与垂直过渡部分形成谐振效应，可实现垂直互联的超低损耗。
主权项：1.一种射频垂直过渡结构，其特征在于，包括：多层堆叠的氮化铝陶瓷电路基板，形成从上至下的第一堆叠结构10、第二堆叠结构11和第三堆叠结构12；微带线1，其首端设置于第一堆叠结构10表层的棱边，末端处于第一堆叠结构10的表层中间区域；在第一堆叠结构和第二堆叠结构中位于微带线1末端处设置有中心垂直过孔4，在中心垂直过孔4周围设置有多个准同轴金属通孔3，中心垂直过孔中设置有垂直互联中心导体6，准同轴金属通孔3中设置有准同轴金属柱；微带线等效接地金属层8，设置在第一堆叠结构10和第二堆叠结构11之间；带状线7，夹设在第二堆叠结构11中，通过垂直互联中心导体6与微带线1连接，形成微带线-垂直过渡-带状线的转换结构；带状线等效接地金属层9设置在第二堆叠结构11和第三堆叠结构12之间；锥形空气腔13，设置在第三堆叠结构12中且位于垂直过渡部分下方，锥形空气腔13用于与垂直过渡部分形成谐振效应，降低插入损耗。
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百度查询： 西北工业大学 一种射频垂直过渡结构
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