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摘要：本发明公开的装配式墙内调谐质量阻尼器结构，包括阻尼器框架，阻尼器框架内两侧对称连接有耗能单元，两个耗能单元之间连接有摆锤单元，摆锤单元包括两个摆锤，两个摆锤两侧通过钢绞线分别对称连接有两个支柱，四个支柱与耗能单元连接，两个摆锤分别通过弹簧支撑单元与阻尼器框架连接，且两个摆锤之间通过弹簧系杆单元连接；还包括装配墙，装配墙中心开设有凹槽，阻尼器框架设于凹槽内。本发明还公开装配式墙内调谐质量阻尼器结构的使用方法。本发明的装配式墙内调谐质量阻尼器结构及其使用方法，解决了现有技术中存在的TMD耗能能力效率较低的问题。
主权项：1.装配式墙内调谐质量阻尼器结构，其特征在于，包括阻尼器框架12，所述阻尼器框架12内两侧对称连接有耗能单元，两个所述耗能单元之间连接有摆锤单元，所述摆锤单元包括两个摆锤1，两个所述摆锤1两侧通过钢绞线3分别对称连接有两个支柱2，四个所述支柱2与耗能单元连接，两个所述摆锤1分别通过弹簧支撑单元5与阻尼器框架12连接，且两个所述摆锤1之间通过弹簧系杆单元6连接；还包括装配墙14，所述装配墙14中心开设有凹槽，所述阻尼器框架12设于凹槽内。
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百度查询： 西安理工大学 装配式墙内调谐质量阻尼器结构及其使用方法
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