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摘要：本发明提供一种方法，以在扫描离子射束沉积或蚀刻工艺中调整扫描的不对称速度，来校正晶片上的装置结构的内部侧与外部侧之间的沉积或蚀刻的不对称性，同时维持整个晶片上的相应沉积或蚀刻的总体均匀性。
主权项：1.一种在具有真空腔室、载物台上的晶片、靶材料、离子射束源的离子射束溅射系统中，在所述离子射束溅射系统中将均匀的溅射材料层沉积到所述晶片上的方法，所述方法包括以下步骤：从所述离子射束源产生离子；将所产生的离子引导到所述靶材料上，由此所述靶材料的一部分被作为沉积羽流的一部分朝向所述晶片溅射；在沉积区内将所述晶片暴露于所述沉积羽流；以及沿着相对于所述沉积羽流的扫描路径跨越所述沉积区以扫描所述晶片，其中所述晶片的扫描速度随着所述晶片沿着所述扫描路径行进而改变，其中所述扫描速度随着暴露于所述沉积羽流的所述晶片的面积的减小而减小。
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百度查询： 等离子瑟姆NES有限公司 扫描离子射束沉积和蚀刻
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