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摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET的开通自适应有源栅极驱动电路及其控制方法，本发明通过开通自适应有源栅极驱动电路准确检测SiCMOSFET开通过程的三个阶段，第一段用适中的驱动电流以保证栅极电压快速稳定上升，第二段用较低的驱动电流，以降低dvDSdt水平，第三段用最大驱动电流，确保快速完成开通过程，减小导通电阻，密勒平台电压采和密勒平台电压追踪电路通过跨周期的调控实现了驱动芯片的自适应功能。该电路结构与控制方案为本专利的欲保护点。
主权项：1.一种SiCMOSFET的开通自适应有源栅极驱动电路，包括，其特征在于：包括增减计数器和密勒电压追踪模块；增减计数器耦合密勒电压追踪模块，增减计数器接收PWM信号，高速比较器的负极接收Vsw电源；高速比较器A的阳极连接电压采集模块，电压采集模块还电性连接密勒电压追踪模块的输出端，密勒电压追踪模块的输出端电连接高速比较器B的负极，高速比较器B的输出端耦合开通控制模块，高速比较器C的负极电性连接Vsw2电源；高速比较器A的输出端耦合增减计数器，开通控制模块输出端通过可调栅驱动电流模块连接。
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百度查询： 英弗耐思电子科技(武汉)有限公司 一种SiC MOSFET的开通自适应有源栅极驱动电路及其控制方法
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