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摘要：本发明公开了一种基于硼修饰的单层石墨烯霍尔器件及其制备方法，属于磁阻器件领域，本发明将单层石墨烯置于SiO2Si衬底上，在石墨烯上方制作多个金电极作为源漏电极，Si衬底作为栅极，得到石墨烯霍尔器件；再利用电子束蒸发技术在石墨烯表面沉积硼原子，使硼原子附着在石墨烯表面，得到硼修饰的单层石墨烯霍尔器件。制备得到的硼修饰的单层石墨烯霍尔器件在外加磁场的作用下展现出室温负磁阻现象，通过调节栅极电压和外部磁场，可以在室温下实现正负磁阻的切换，并且同时具备优异的空气稳定性。
主权项：1.一种基于硼修饰的单层石墨烯霍尔器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：通过机械剥离在衬底上剥离出单层石墨烯；S2：在单层石墨烯所在衬底表面制备单层石墨烯霍尔器件；S3：利用电子束蒸发技术在石墨烯表面沉积硼原子，使硼原子附着在石墨烯表面，得到硼修饰的单层石墨烯霍尔器件。
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百度查询： 南京航空航天大学 一种基于硼修饰的单层石墨烯霍尔器件及其制备方法
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