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一种集流体的制造方法及装置 

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摘要:本发明涉及集流体制造技术领域,尤其是一种集流体的制造方法及装置,其集流体的制造方法包括,PI或PET或PP材质作为基膜;基膜表面镀上一层30‑100nm厚的磁控溅射层,磁控溅射层为镍或铜;通过静电喷涂设备均匀喷涂一层200‑1000nm厚的导电剂和粘结剂混合体;将喷涂后的薄膜放置到热轧机上进行热轧,压实密度控制在0.3‑1mgm3,热轧速度控制在50‑85℃,以破坏磁控溅射层,使导电剂、粘结剂、磁控溅射层和基膜紧密结合,通过在基膜上磁控溅射一层金属层,再通过静电喷涂覆盖导电剂和粘结剂混合体,并经过热轧,将磁块溅射层进行破坏,使得导电剂与破坏的磁控溅射层紧密结合,显著降低了复合铜箔集流体的电阻,增强了导电性能,有效提高了镀层与基膜之间的粘结力。

主权项:1.一种集流体的制造方法,其特征在于:包括,步骤1:选择一种2-20um厚的PI或PET或PP材质作为基膜;步骤2:利用磁控溅射技术在所述基膜表面任意一侧或两侧镀上一层30-100nm厚的磁控溅射层,所述磁控溅射层为镍或铜;步骤3:在所述磁控溅射层完成的基膜上,在所述磁控溅射层表面通过静电喷涂设备均匀喷涂一层200-1000nm厚的包括导电剂和粘结剂的混合体;步骤4:将喷涂后的薄膜放置到热轧机上进行热轧,压实密度控制在0.3-1mgm3,热轧温度控制在50-85℃,以破坏磁控溅射层,使导电剂、粘结剂、磁控溅射层和基膜紧密结合;步骤5:对热轧后的复合铜集流体进行水电镀,在外层镀上一层200-1200nm厚的铜原子。

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