龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开了一种树型纳米片互补场效应晶体管，包括由硅纳米片和锗硅鳍型桥间通道构成的树型沟道，包裹沟道的栅极氧化物由二氧化硅和二氧化铪组成，仅淀积在P型栅极氧化物外的P型功函数衬垫，淀积于沟道两端对称的dual‑k边墙、源端和漏端，并采用共用金属栅极、源漏金属电极及NP隔离层来实现N型和P型的隔离和导通。特征在于其沟道由垂直堆叠的硅纳米片及其间的锗硅桥间通道组成。相比纳米片互补场效应晶体管（NS‑CFET），本发明在不增加占地面积的情况下提供了更大的沟道传导面积，提高了导通电流，且额外工艺成本较低。在相同关态泄漏电流下，本发明的N型和P型的导通电流分别提高24.20%和43.00%，开关比分别提高23.64%和43.32%，跨导分别提高36.86%和60.35%。
主权项：1.一种树型纳米片互补场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：由硅纳米片（1）和锗硅鳍型桥间通道（2）构成的N型和P型的树型沟道；由二氧化硅（3）和二氧化铪（4）组成的统一包裹N型和P型树型沟道的栅极氧化物；仅淀积在P型栅极氧化物外面的P型功函数衬垫（5）；淀积在N型栅极氧化物及P型功函数衬垫外面的共用金属栅极（6）；沟道两端对称的N型源端（7）和漏端（8），P型源端（9）和漏端（10）；三面包裹N型源漏的源端金属电极（11）和漏端金属电极（12）；三面包裹P型源漏的源端金属电极（13）和漏端金属电极（14）；在垂直方向上，将N型和P型的源端和漏端绝缘开的NP隔离层（15）；分别与源端和漏端接触、包裹N型和P型树型沟道且对称分布的high-k边墙（16）和low-k边墙（17）；衬底（18）以及淀积在衬底两侧的浅沟槽隔离层（19）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 智擎微(上海)电子科技有限公司 一种树型纳米片互补场效应晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号