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摘要：非易失性存储装置包括多个非易失性存储元件，其中，所述非易失性存储元件包括包含金属氧化物的半导体层、与所述半导体层相对的栅电极以及由设置在所述半导体层和所述栅电极之间的反铁电体构成的栅极绝缘层。其中，构成所述栅电极的第一材料的电子亲和力小于构成所述半导体层的第二材料的电子亲和力，并且所述第二材料为n型半导体，或者，构成所述栅电极的第一材料的电子亲和力大于构成所述半导体层的第二材料的电子亲和力，并且所述第二材料为p型半导体。
主权项：1.一种包括多个非易失性存储元件的非易失性存储装置，其中，所述非易失性存储元件包括：半导体层，其包含金属氧化物；栅电极，其与所述半导体层相对；以及栅极绝缘层，其由设置在所述半导体层和所述栅电极之间的反铁电体构成，构成所述栅电极的第一材料的电子亲和力小于构成所述半导体层的第二材料的电子亲和力，并且所述第二材料为n型半导体。
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百度查询： 国立研究开发法人科学技术振兴机构 非易失性存储装置
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