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摘要：提供了一种用于检查半导体样本中埋藏缺陷的系统和方法。该方法包括：使用具有给定着陆能量LE的电子束扫描半导体样本；通过收集在特定逃逸能量EE下从样本发射的背散射电子BSE来生成图像数据，其中特定EE是基于关系而从对应于给定LE的一系列EE中选择的，该关系表示在一系列EE下针对样本中缺陷的不同预期深度获得的预期测量；基于图像数据来获得与缺陷相关的测量；以及基于测量和关系来估计样本中缺陷的实际深度。
主权项：1.一种检查半导体样本中埋藏的缺陷的计算机化系统，所述系统包括：检查工具，所述检查工具被配置为：使用具有给定着陆能量LE的电子束扫描所述半导体样本，以及通过收集在特定逃逸能量EE下从所述样本发射的背散射电子BSE来生成图像数据，其中所述特定EE是基于关系而从对应于所述给定LE的一系列EE中选择的，所述关系表示在所述一系列EE下针对所述样本中的所述缺陷的不同预期深度获得的预期测量；以及处理电路系统，所述处理电路系统操作性地连接到所述检查工具，并且被配置为基于所述图像数据来获得与所述缺陷相关的测量，并且基于所述测量和所述关系来估计所述样本中所述缺陷的实际深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料以色列公司 针对半导体样本的缺陷深度估计
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