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摘要：本发明提供了双注入雪崩晶体管及其制备方法，能解决现有雪崩晶体管因需维持高场强碰撞电离区，导致其导通压降和损耗较高，及重频运行下导通损耗造成的温升会影响其性能的问题。该晶体管包括集电区n+衬底层、集电区n0外延层、p型基区层、n+发射区层、多个p+场环，及设在集电区n+衬底层与集电区n0外延层之间的集电区p+注入层，集电区n0外延层顶部设有多个第一环槽，p+场环设在第一环槽内，其顶部与集电区n0外延层顶部平齐。集电区p+注入层的p+掺杂浓度大于集电区n+衬底层的n+掺杂浓度，n+发射区层的n+掺杂浓度大于p型基区层的p型掺杂浓度，n+发射区层的n+掺杂浓度和p+场环的p+掺杂浓度均与集电区n+衬底层的n+掺杂浓度为同一数量级。

主权项：1.一种双注入雪崩晶体管，包括由下至上依次设置的集电区电极9、集电区n+衬底层1、集电区n0外延层3，以及p型基区层4、n+发射区层5、环状的基区电极7、板状的发射区电极8；所述集电区n0外延层3的顶部中间位置处设有第一凹腔，所述p型基区层4为带有第二凹腔的板层结构，p型基区层4设置在所述第一凹腔内；所述n+发射区层5设置在所述第二凹腔内，n+发射区层5和p型基区层4的顶部均与集电区n0外延层3的顶部平齐；所述基区电极7设置在p型基区层4的顶部；所述发射区电极8设置在n+发射区层5的顶部；其特征在于：还包括集电区p+注入层2和多个p+场环6；所述集电区p+注入层2设置在集电区n+衬底层1与集电区n0外延层3之间；所述集电区n0外延层3的顶部位于p型基区层4的外侧同轴设置有多个第一环槽，所述多个p+场环6分别设置在多个第一环槽内，且所述p+场环6的顶部与集电区n0外延层3的顶部平齐；所述集电区p+注入层2的p+掺杂浓度大于集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度；所述集电区n0外延层3的n0掺杂浓度小于集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度；所述p型基区层4的p型掺杂浓度大于集电区n0外延层3的n0掺杂浓度且小于集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度；所述n+发射区层5的n+掺杂浓度大于p型基区层4的p型掺杂浓度；所述n+发射区层5的n+掺杂浓度和p+场环6的p+掺杂浓度均与集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度为同一数量级。

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