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使用原子层沉积法的薄膜的区域选择性沉积方法以及选择性形成薄膜的基板 

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摘要:本发明涉及一种使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法及选择性形成薄膜的基板,更具体而言,涉及通过使用有机硫醇小分子抑制剂来在包括如铜Cu等的金属的基板、包括二氧化硅SiO2的基板及包括如氮化钛TiN等的氮化物的基板的表面上形成具有不同厚度的薄膜的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法及选择性形成薄膜的基板。

主权项:1.一种使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法,其特征在于,包括:第一步骤,准备将包括金属的第一基板、包括二氧化硅的第二基板及包括氮化物的第三基板平行排列而一体化的基板;第二步骤,使上述基板暴露于有机硫醇小分子抑制剂;及第三步骤,使用区域选择性原子层沉积法在暴露于上述有机硫醇小分子抑制剂的基板表面上形成薄膜;其中,形成在上述第一基板表面上的薄膜的厚度、形成在第二基板表面上的薄膜的厚度及形成在第三基板表面上的薄膜的厚度不同。

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