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摘要：本发明公开了一种晶体管结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：提供一基底，基底上设有多个栅极结构；在栅极结构的两侧形成第二侧墙结构和台阶结构，其中第二侧墙结构设置在每个栅极结构的两侧，其中台阶结构设置在第二侧墙结构与基底之间；在基底上形成薄膜层，所述薄膜层覆盖所述基底、所述多个栅极结构、所述第二侧墙结构和所述台阶结构。本发明解决了由于栅极结构侧墙与基底处薄膜生长速率的差异，造成的在薄膜沉积过程中出现深坑或孔洞等缺陷的问题，这避免了后继接触管道的漏电及器件的失效，从而保证了晶体管产品的质量。
主权项：1.一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：提供一基底，所述基底上设有多个栅极结构，相邻所述栅极结构之间设有预设间隔距离，其中所述栅极结构包括栅极氧化层，所述栅极氧化层覆盖在所述基底上；形成氧化硅层于所述栅极结构上和暴露的所述基底的表面，形成氮化硅层于所述氧化硅层上，以在每个所述栅极结构的两侧壁上形成第一侧墙结构，所述第一侧墙结构包括氧化硅层和氮化硅层，同时去除相邻所述第一侧墙结构之间且位于所述基底上的所述氮化硅层，以及位于所述栅极结构顶部的所述氮化硅层和所述氧化硅层，暴露所述栅极结构的顶部表面及相邻所述第一侧墙结构之间位于所述基底上的所述氧化硅层；在所述基底上进行离子注入；去除相邻所述第一侧墙结构之间且位于所述基底上的所述氧化硅层和所述栅极氧化层，暴露相邻所述第一侧墙结构之间的所述基底；形成金属硅化物层于暴露的所述基底上和所述栅极结构的顶部表面处；去除所述第一侧墙结构中的所述氮化硅层，形成第二侧墙结构和台阶结构，所述第二侧墙结构设置在每个所述栅极结构的两侧，其中所述第二侧墙结构为氧化硅；所述台阶结构设置在所述第二侧墙结构与所述基底之间，其中所述台阶结构为氧化硅；在所述基底上形成薄膜层，所述薄膜层覆盖所述基底、所述多个栅极结构、所述第二侧墙结构和所述台阶结构。
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