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摘要：本发明公开了一种氮化镓晶圆生产工艺参数设计方法，该方法通过将使用GaN材料生产晶圆时用到的所有参数进行DOE设计，分为贴膜、研磨和划片三个阶段，确定出三个阶段最优化的工艺条件，使得设计出的参数准确且适合生产条件，提高了良品率。
主权项：1.一种氮化镓晶圆生产工艺参数设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，根据已有的生产数据，确定生产过程的DOE矩阵，所述DOE矩阵的参数包括磨片胶膜、研磨轮、研磨参数和划片参数；步骤2，根据DOE矩阵的参数，对氮化镓的测试片进行贴膜，贴膜后验证，确定出贴膜参数；所述贴膜参数包括贴膜速度、贴膜压力、贴膜张力、工作台温度和刀片温度；步骤2中，所述贴膜速度为5～20mmsec，贴膜压力为0.56MPa，贴膜张力的主压力为0.56MPa、工作台温度为20℃-60℃，刀片温度为170℃；步骤3，根据DOE矩阵的参数，对氮化镓的测试片进行研磨验证，确定出研磨参数；研磨参数包括粗磨研磨速度、细磨研磨速度、主轴在粗磨和细磨时的转速、研磨细磨量和研磨轮型号；粗磨分为三个阶段，第一阶段的速度为3-8ums，第二阶段的速度为2-6ums，第三阶段的速度为1-4ums；细磨分为两个阶段，第一阶段的速度为0.2-0.8ums，第二阶段的速度为0.1-0.6ums；主轴在粗磨时的转速为500-5000rpm，主轴在细磨时的转速为1000-5700rpm；步骤4，根据DOE矩阵的参数，对氮化镓的测试片进行划片验证，确定出划片参数；划片参数包括进刀速度、主轴转速、刀片切入量和水流量；进刀速度为7-60mms；第一切刀的主轴转速为20000-55000rpm，第二切刀的主轴转速为20000-55000rpm；第一切刀的切入厚度为晶圆厚度的13-23，第二切刀将晶圆切透后，切入胶膜15-40um；水流量为0.6±0.3MΩ.cm2；步骤5，基于上述的贴膜参数、研磨参数和划片参数生产氮化镓晶圆，当良品率达到100％时，确定上述的贴膜参数、研磨参数和划片参数为生产工艺参数。
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