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摘要：本发明公开了一种纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜及其制备方法，石墨烯纳米金刚石复合竖立片层由热丝化学气相沉积法制备，再利用微波等离子体处理获得具有密堆积结构的片层，呈高迁移率n型电导。
主权项：1.一种纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜，其特征在于所述纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜按如下方法制备：1单晶硅衬底表面打磨种晶预处理：将金刚石粉和丙三醇充分分散混合，得到金刚石研磨膏；取所述金刚石研磨膏于抛光绒布上，按压本征单晶硅片在研磨膏处来回打磨5～40min，所得打磨过的硅片依次在丙酮、无水乙醇中超声清洗1～30min，氮气吹干，得到种晶后的单晶硅；2热丝化学气相沉积生长薄膜：将步骤1所述的种晶后的单晶硅作为衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，所述丙酮采用流量为70-110sccm的氢气鼓泡带入到反应室中，同时还通入流量为100-300sccm的纯氢气，控制生长功率为2000～2600W，生长压力为1.0～2.5kPa进行纳米金刚石颗粒层生长10～50min；调整纯氢气流量为0～20sccm，氢气流量为50～100sccm，降低功率至1300～1800W，进行竖立纳米金刚石石墨烯复合片层的生长0.5～10min；停止通入纯氢气和丙酮，以0.1～5Vmin的速率缓慢降低功率至0，得到含竖立纳米金刚石石墨烯复合片层的硅片；3微波氩气氧气混合等离子体刻蚀处理：将步骤2所述的含竖立纳米金刚石石墨烯复合片层的硅片置于微波等离子体气相沉积设备中，通入氩气与氧气的混合等离子体，其中氩气与氧气的总流量为80～120sccm，控制混合等离子体中氧气的流量为10～20sccm；控制功率400～800W，气压10～20Torr，处理时间2～8min，得到所述纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜。
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百度查询： 浙江工业大学 纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜及其制备方法
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