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摘要:本发明涉及一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料,以下列化学通式表示:Pb1‑yGayZr1‑zTizmTa1‑mO3+xwt%Sm,其中x=0.05~1.05,xwt%表示Sm占压电陶瓷材料总质量的百分比含量;y=0.015~0.025,z=0.45~0.50,m=0.95~0.98。采用固相反应法制备Sm离子掺杂的PZT基压电陶瓷粉体,再结合压片、脱脂排胶、烧结、被银、极化等工艺制备具有高居里温度、高压电常数、高介电常数的压电陶瓷材料。结果表明,本发明压电陶瓷材料的居里温度Tc大于380℃,同时介电常数大于900,压电常数d33大于300pCN。
主权项:1.一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述压电陶瓷材料以下列化学通式表示:Pb1-yGayZr1-zTizmTa1-mO3+xwt%Sm,其中x=0.1~0.4,xwt%表示Sm占压电陶瓷材料总质量的百分比含量;y=0.015~0.025,z=0.45~0.50,m=0.95~0.98;所述压电陶瓷材料的居里温度Tc≥440℃,压电常数d33≥330pCN,介电常数≥1200;所述制备方法包括如下步骤:1将各原料球磨混合,球磨后依次进行烘干、研磨、过筛、预压,预压后的块状物料在密闭条件下750~900℃煅烧1~2h;2将步骤1中煅烧后的物料碾碎二次球磨,然后烘干、过筛,加PVA水溶液,充分研磨、再过筛;3将步骤2过筛的物料,模压成型得到生坯片,将生坯片脱脂排胶,然后在1100℃~1300℃保温烧结得到烧结体;脱脂排胶及烧结包括以下步骤:S3.1以升温速率0.5~1℃min,升温到200~220℃并保温1~2h;S3.2以升温速率1~3℃min,升温到500-600℃并保温1~2h;S3.3以升温速率2~5℃min,升到800~900℃并保温1~2h;S3.4以升温速率1~2℃min升温到1100~1300℃并保温1~2h,随炉冷却;4将步骤3得到的烧结体进行抛光,在表面涂抹中温银浆后烘干,在600~700℃下烧结1~2h,得到银层厚度为1~2μm的被银陶瓷片;所述中温银浆的银粉含量为60~75wt%,粘度550~650Pa·s,银粉为粒径0.5~3μm的球形银粉,且D50=0.8~1μm;5将步骤4得到的被银陶瓷片在硅油中极化,取出在空气中自然老化得到压电陶瓷材料。
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