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摘要：本发明公开了一种高灵敏谐振式差压传感器的制备方法和高灵敏谐振式差压传感器。其中高灵敏谐振式差压传感器的制备方法通过多晶硅进行真空封装，能有效解决硅‑玻璃硅‑硅键合的真空封装方案晶圆键合成品率、晶圆键合封装效率低等问题；在对步骤S1中刻蚀出的凹槽进行密封时，本发明通过结构设计，采用宽度不一样的第一隔离槽和第二隔离槽，使需要密封的凹槽宽度由宽变窄，从而在第一隔离槽的出口处能够完全覆盖一层二氧化硅和多晶硅，对第一隔离槽内部的微空洞进行密封，因此可以使用较小的封装尺寸实现较好的封装效果，完成局部封装。

主权项：1.一种高灵敏谐振式差压传感器的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：干法刻蚀SOI片，在所述SOI片的单晶硅器件层刻蚀形成谐振器、锚点和电极；所述谐振器的宽度两侧各自设置有一个所述电极，所述电极与所述谐振器之间形成沿所述谐振器长度方向延伸的分隔槽；所述谐振器的长度两端各自连接一个所述锚点，两个所述锚点位于所述电极的相对两侧，所述锚点与所述电极之间形成与所述分隔槽相互连通的隔离槽，所述隔离槽包括连通所述分隔槽的第一隔离槽和连接在所述第一隔离槽另一端的第二隔离槽，所述第二隔离槽的槽宽大于所述第一隔离槽；步骤S2：利用低压化学气相沉积法，在所述SOI片的表面沉积覆盖第一层二氧化硅，并使所述第一层二氧化硅填充刻蚀出的所述隔离槽；步骤S3：图形化所述第一层二氧化硅，在所述谐振器的外周刻蚀出凹槽，所述第一层二氧化硅被刻蚀的外周区域覆盖所述第二隔离槽；步骤S4：利用低压化学气相沉积法，在所述第一层二氧化硅表面沉积第一层多晶硅，所述第一层多晶硅填充所述步骤S3中刻蚀出的凹槽并连接在所述电极上；步骤S5：在谐振器的正上方图形化并刻蚀所述第一层多晶硅，以在所述谐振器上方刻蚀出沿所述谐振器的长度方向分布的多组释放孔，所述释放孔连通至在所述步骤S2中沉积的第一层二氧化硅；步骤S6：利用低压化学气相沉积法，在所述第一层多晶硅的表面沉积第二层二氧化硅，所述第二层二氧化硅填充所述释放孔并连接第一层二氧化硅；步骤S7：在所述谐振器的宽度两侧图形化并刻蚀第二层二氧化硅，以在所述谐振器的上方且在多组所述释放孔所在直线的两侧刻蚀出沿所述谐振器的长度方向分布且贯通所述第二层二氧化硅的通孔；步骤S8：利用低压化学气相沉积法，在所述第二层二氧化硅的表面沉积第二层多晶硅，所述第二层二氧化硅通过所述步骤S7中刻蚀出的通孔连接所述第一层多晶硅；步骤S9：图形化并刻蚀所述第二层多晶硅至所述第二层二氧化硅，留下所述谐振器上方一部分的所述第二层多晶硅，以在所述谐振器的上方形成遮蔽层；步骤S10：腐蚀外露的所述第二层二氧化硅，并通过所述遮蔽层和所述第一层多晶硅之间的缝隙以及所述释放孔腐蚀所述谐振器外周的二氧化硅以释放所述谐振器；步骤S11：利用低压化学气相沉积法在真空环境下沉积第三层多晶硅，完成谐振器的密封。

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百度查询： 中国科学院空天信息创新研究院 一种高灵敏谐振式差压传感器的制备方法和高灵敏谐振式差压传感器