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摘要：本发明涉及一种半导体结构的减薄方法。半导体结构的减薄方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括正面和待减薄的背面；提供第一基板；将半导体结构的正面与第一基板一侧键合，对半导体结构的背面进行减薄；提供第二基板，第二基板中具有第一吸附孔；在第二基板的一侧表面设置缓冲膜，缓冲膜中具有第二吸附孔；利用第二基板从缓冲膜一侧吸附半导体结构；吸附状态下，第一吸附孔与第二吸附孔至少部分贯通；将半导体结构的正面与第一基板解键合。本发明提供的半导体结构的减薄方法可以减少半导体结构在解键合过程中出现的缺陷和划痕。
主权项：1.一种半导体结构的减薄方法，其特征在于，包括：提供半导体结构；所述半导体结构包括正面和待减薄的背面；提供第一基板；将所述半导体结构的正面与所述第一基板一侧键合，对所述半导体结构的背面进行减薄；提供第二基板，所述第二基板中具有多个第一吸附孔；在所述第二基板的一侧表面设置缓冲膜，所述缓冲膜中具有多个第二吸附孔；利用所述第二基板从所述缓冲膜一侧吸附所述半导体结构；吸附状态下，所述第一吸附孔与所述第二吸附孔至少部分贯通；将所述半导体结构的正面与所述第一基板解键合；其中，所述第二基板与所述缓冲膜之间的叠加孔隙率大于21.5%；所述第二基板的孔隙率为34.6%~46.0%；所述缓冲膜的孔隙率为62.0%~64.9%；所述第一吸附孔的孔径为10.7μm~15μm；所述第二吸附孔的孔径为1μm~3μm；所述缓冲膜与所述半导体结构接触的一侧表面粗糙度小于478nm。
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