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摘要：本发明公开了一种金属扩散阻挡层结构，包括由外而内依次形成于槽或孔内的粘附层、二硫化钼阻挡层、籽晶层和导线层；其中，二硫化钼阻挡层由向铜钼合金籽晶层中渗入硫，并与其中的钼反应而形成。本发明通过以三维二硫化钼层取代传统的氮化钽作为金属扩散阻挡层，可大幅降低阻挡层厚度，增加导线金属的比例，且有着较好的导电性，从而能从总体上大幅降低金属互连电阻，改善铜导线的抗电迁移能力，并有效克服了在后道工艺中引入二维材料所存在的沟槽覆盖率和工艺兼容性等问题。
主权项：1.一种金属扩散阻挡层结构，其特征在于，包括由外而内依次形成于槽或孔内的粘附层、二硫化钼阻挡层、籽晶层和导线层；所述籽晶层包括铜钼合金层；所述二硫化钼阻挡层由向所述铜钼合金层中渗入硫，并与其中的钼反应而形成；所述二硫化钼阻挡层具有三维结构。
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百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 一种金属扩散阻挡层结构及其形成方法
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