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摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置，包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有下电极组件；等离子体约束装置，其环绕设置于下电极组件的外侧；排气口，其设置于真空反应腔的底部且位于等离子体约束装置下侧，用于将真空反应腔内部的气体排出；等离子体约束装置包括第一区域和第二区域，第一区域到排气口的距离小于所述第二区域到排气口的距离；气流挡板，其设置于等离子体约束装置的下方，气流挡板上开设有气流口，气流口位于第二区域的下方。其优点是：该装置通过将等离子体约束装置、气流挡板等结构相结合，通过气流挡板增加气体行走路径，减缓了等离子体约束装置和排气口之间气体的流速，有助于实现晶圆刻蚀速率的均匀性，保证晶圆刻蚀效果。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有下电极组件；等离子体约束装置，其环绕设置于所述下电极组件的外侧；排气口，其设置于真空反应腔的底部且位于所述等离子体约束装置下侧，用于将真空反应腔内部的气体排出；所述等离子体约束装置包括第一区域和第二区域，所述第一区域到排气口的距离小于所述第二区域到排气口的距离；气流挡板，其设置于所述等离子体约束装置的下方，所述气流挡板与所述真空反应腔的侧壁之间形成一个环状通道，所述气流挡板上开设有气流口，所述气流口位于第二区域的下方；其中，所述气流挡板包括第一台阶板和第二台阶板，所述第一台阶板与第二台阶板为环形，两者之间成一夹角连接，且第二台阶板相对于第一台阶板更接近真空反应腔的侧壁，所述第一台阶板的底部与所述真空反应腔的底部接触，所述第一台阶板上开设有所述气流口。
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百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置
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