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摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：浅沟槽隔离结构，位于衬底内，其具有交替排布的第一区域和第二区域，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度，在所述第一区域依次设置第一填充层和第二填充层，在所述第二区域设置第一填充层；其中，在所述第一区域内，所述第一填充层的高度小于所述第二填充层的高度。本发明的优点在于，在第一区域形成鞍形浅沟槽隔离结构，以减小字线结构干扰期间的陷阱中心，并减小后续形成的相邻的字线结构的重叠区域，进而降低寄生电容，减小漏电，提高半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：浅沟槽隔离结构，位于衬底内，其具有交替排布的第一区域和第二区域；有源区，设置于所述浅沟槽隔离结构的所述第一区域和所述第二区域之间；字线结构，沿预设方向设置于所述浅沟槽隔离结构的所述第一区域、所述有源区、所述浅沟槽隔离结构的所述第二区域上方；所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度；在所述第一区域设置第一填充层和第二填充层，所述第二填充层设置在所述第一区域的中心，所述第一填充层环绕所述第二填充层设置；在所述第二区域设置所述第一填充层，且不设置所述第二填充层；其中，在所述第一区域内，所述第一填充层的高度小于所述第二填充层的高度。
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