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摘要:本公开的摄像装置具有:多个单位像素单元,各个单位像素单元包括第1电极、与第1电极对置的第2电极、第1电极和第2电极之间的光电变换层、与第1电极电连接的电荷蓄积区域、以及与电荷蓄积区域电连接的信号检测电路;以及电压供给电路,与第2电极电连接,并且在用于将通过光电变换而生成的电荷蓄积于电荷蓄积区域中的期间即曝光期间中向第2电极提供第1电压,在非曝光期间中向第2电极提供与第1电压不同的第2电压,曝光期间的开始及结束在多个单位像素单元之间是相同的。
主权项:1.一种摄像装置,具有:多个单位像素单元,各个单位像素单元包括第1电极、与所述第1电极对置的第2电极、所述第1电极和所述第2电极之间的光电变换层、与所述第1电极电连接的电荷蓄积区域、以及与所述电荷蓄积区域电连接的信号检测电路;以及电压供给电路,与所述第2电极电连接,并且在用于将通过光电变换而生成的电荷蓄积于所述电荷蓄积区域中的期间即曝光期间中向所述第2电极提供第1电压,在非曝光期间中向所述第2电极提供与所述第1电压不同的第2电压,多个单位像素单元中的各个单位像素单元包括与所述电荷蓄积区域电连接的复位晶体管,该复位晶体管对用于将所述电荷蓄积区域初始化的复位电压的供给及切断进行切换,被供给所述复位电压时的所述第1电极和所述第2电极之间的电位差,大于所述复位电压被切断后的所述第1电极和所述第2电极之间的电位差,所述曝光期间的开始及结束在所述多个单位像素单元之间是相同的,所述复位晶体管是n沟道的场效应晶体管,所述复位电压大于所述第2电压,或者,所述复位晶体管是p沟道的场效应晶体管,所述复位电压小于所述第2电压。
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