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摘要：本发明属于半导体芯片封装技术领域，具体涉及一种陶瓷封装基板、半导体芯片及陶瓷封装基板的制作方法，包括陶瓷芯板和ABFBT复合层；所述陶瓷芯板的陶瓷基板上设置有若干互联孔，互联孔贯穿陶瓷基板的上下表面；陶瓷基板表面设置电镀铜覆膜层；陶瓷芯板的上方和下方均设置有ABFBT复合层，所述ABFBT复合层包括若干层叠布置的ABFBT层，每个ABFBT层的外侧均设置有覆铜板层；最外侧的ABFBT层的表面上设置有阻焊层，阻焊层的外侧设置有表面处理层。本方案的陶瓷封装基板的中心处具有陶瓷芯板，使其具有导热率高、硬度强，抗弯曲性能高，绝缘性好，介电损耗小，耐高温耐腐蚀等优点，经久耐用，能够延长封装基板的使用寿命，并提高出厂的合格率。
主权项：1.一种陶瓷封装基板，其特征在于：包括陶瓷芯板（100）和ABFBT复合层（300）；所述陶瓷芯板（100）包括陶瓷基板（101）和电镀铜覆膜层（210）；所述陶瓷基板（101）上设置有若干互联孔（310），互联孔（310）贯穿陶瓷基板（101）的上下表面；陶瓷基板（101）的上表面和下表面以及互联孔（310）的孔壁上均设置所述电镀铜覆膜层（210）；所述互联孔（310）内还填充有油墨；陶瓷芯板（100）的上方和下方均设置有ABFBT复合层（300），所述ABFBT复合层（300）包括若干层叠布置的ABFBT层（320），每个ABFBT层（320）的外侧均设置有覆铜板层；在所述覆铜板层上设置有若干凹槽（240），在各凹槽（240）处的ABFBT层（320）上设置有盲孔（230）；所述盲孔（230）内设置有铜柱；最外侧的ABFBT层（320）的表面上设置有阻焊层（330），阻焊层（330）的外侧设置有表面处理层（250）；表面处理层（250）上也设置有内置铜柱的盲孔（230）；所述电镀铜覆膜层（210）、覆铜板层和表面处理层（250）均为金属层，各个金属层上均设置有若干联通焊盘；不同覆铜板层的联通焊盘之间、覆铜板层与电镀铜覆膜层（210）的联通焊盘之间通过对应的铜柱进行电连通。
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百度查询： 苏州锐杰微科技集团有限公司 陶瓷封装基板、半导体芯片及陶瓷封装基板的制作方法
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