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摘要：本发明公开了一种III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括由第一半导体、第二半导体和第三半导体所形成的双异质结结构，所述双异质结具有双二维空穴气2DHG；所述第三半导体具有比第二半导体小的带隙，易于采用能带选择的光电化学腐蚀PEC技术去除，并形成凹槽结构；所述凹槽结构与栅极结构配合设置，可以将第二半导体内对应栅极下方区域的二维空穴气耗尽。本发明可以有效实现大输出电流、低导通电阻的凹槽栅常关型P沟道HEMT器件。
主权项：1.一种III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件，其特征在于包括依次层叠的第一半导体、第二半导体和第三半导体，所述第二半导体分别与第一半导体、第三半导体配合形成第一异质结、第二异质结，其中第三半导体为P型半导体，并且第一半导体的带隙＞第二半导体的带隙＞第三半导体的带隙；所述第一异质结、第二异质结中分别形成有作为第一空穴沟道、第二空穴沟道的二维空穴气；所述第三半导体对应于栅极的区域形成有凹槽结构，所述凹槽结构与栅极结构配合设置，所述栅极结构能够将第二半导体内对应栅极下方区域的二维空穴气耗尽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 广东中科半导体微纳制造技术研究院 III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法
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