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摘要：本发明提供了一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFETQ1，被驱动功率MOSFETQ1通过驱动芯片作开关动作，包括一驱动管Q2；通过驱动管Q2的跨导增益，经过被驱动功率MOSFETQ1内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFETQ1的寄生输入电容充放电，基于跨导增益构建负反馈调节机制，在外界干扰下，控制栅源电压保持稳定，同时抑制栅源电压正向和负向电压发散振荡。
主权项：1.一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFET（Q1），被驱动功率MOSFET（Q1）通过驱动芯片作开关动作，其特征在于：包括一驱动管（Q2）；通过驱动管（Q2）的跨导增益，经过被驱动功率MOSFET（Q1）内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFET（Q1）的寄生输入电容充放电；还包括驱动电阻Rg2、驱动电阻Rg1、开通偏置电压以及关断偏置电压，所述驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压的正极，所述驱动芯片输出电源负端口连接至关断偏置电压的负极，所述驱动芯片的驱动输出端口连接至所述被驱动功率MOSFET（Q1）的栅极，所述驱动芯片的驱动输出端口连接至所述驱动管（Q2）的栅极，所述驱动管（Q2）的源极连接至所述被驱动功率MOSFET（Q1）的栅极，所述驱动管（Q2）的漏极连接至所述关断偏置电压的负极，所述开通偏置电压负极以及关断偏置电压的正极均连接至所述被驱动功率MOSFET（Q1）的源极；所述驱动芯片的驱动输出端口通过驱动电阻Rg1连接至所述被驱动功率MOSFET（Q1）的栅极；所述驱动芯片的驱动输出端口通过驱动电阻Rg2连接至所述驱动管（Q2）的栅极。
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百度查询： 北京交通大学 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路
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