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摘要：本发明的一观点的薄膜形成方法，包括如下的步骤：在工艺腔室内在放置在基板支撑架的基板上通过气体喷射部供应含有金属的源气体及用于与所述源气体发生反应的反应气体，并且通过等离子体电源部供应电源，在所述工艺腔室内形成等离子体环境，进而在所述基板上将金属薄膜预沉积第一时间期间；切断所述等离子体电源部的电源，将所述源气体及所述反应气体向所述基板上供应第二时间期间，以预处理所述基板；在所述基板上供应所述源气体及所述反应气体，并且通过所述等离子体电源部供应电源，在所述工艺腔室内形成等离子体环境，进而在所述基板上将金属薄膜主沉积第三时间期间。
主权项：1.一种薄膜形成方法，包括如下的步骤：在工艺腔室内在放置在基板支撑架的基板上通过气体喷射部供应含有金属的源气体及用于与所述源气体发生反应的反应气体，并且通过等离子体电源部供应电源，在所述工艺腔室内形成等离子体环境，进而对所述基板进行持续第一时间期间的金属薄膜预沉积的同时表面处理上述基板；切断所述等离子体电源部的电源，将所述源气体及所述反应气体向所述基板上供应第二时间期间，以预处理所述基板；在所述基板上供应所述源气体及所述反应气体，并且通过所述等离子体电源部供应电源，在所述工艺腔室内形成等离子体环境，进而在所述基板上将金属薄膜主沉积第三时间期间，所述第一时间比所述第二时间及所述第三时间短，在所述预沉积步骤中形成的所述金属薄膜的厚度比在所述主沉积步骤中形成的金属薄膜的厚度薄，所述第三时间是所述第一时间的10倍以上，在所述预沉积步骤及所述主沉积步骤期间，所述等离子体电源部一同供应低频电源及高频电源。
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百度查询： 圆益IPS股份有限公司 薄膜形成方法
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