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摘要：本发明提供了一种端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管，该端接触的方法包括：将低维材料覆盖至目标衬底；将电子束负胶覆盖在低维材料上；对电子束负胶进行图形化和刻蚀，暴露出欲去除部分的低维材料；利用设定气体等离子体刻蚀掉暴露出的低维材料；通过设定镀膜方式对刻蚀掉的低维材料后的电子束负胶覆盖的剩余部分的低维材料镀膜，形成低维材料与金属端接触结构。通过上述方案，能够在常温下，实现低维材料和金属的端接触；端接触结构可有效减小器件的尺寸；应用于多层低维材料，可有效避免因静电屏蔽导致的下层材料无法与下层材料接触的现象。
主权项：1.一种低维材料与电极端接触的方法，其特征在于，包括：将低维材料覆盖至目标衬底；将电子束负胶覆盖在低维材料上；对电子束负胶进行图形化和刻蚀，暴露出欲去除部分的低维材料；利用设定气体等离子体刻蚀掉暴露出部分的低维材料；通过设定镀膜方式对刻蚀掉部分低维材料后的电子束负胶覆盖的剩余部分的低维材料镀膜，得到与低维材料端接触的电极；其中，在设定气体等离子体为具有各向异性的刻蚀方式的情况下，所述设定镀膜方式为具有各向异性或具有各向同性的镀膜方式。
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百度查询： 北京邮电大学 端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管
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