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摘要：本发明公开了一种硅片的阳极键合装置及其键合方法，属于硅片键合技术领域，所述硅片一表面已键合第一玻璃片，所述键合装置将第二玻璃片键合至所述硅片的另一表面，所述第二玻璃片与阴极连接，所述第一玻璃片上设有孔位，所述键合装置包括加热盘、键合托盘以及连接弹簧，所述键合托盘与阳极连接，所述连接弹簧安装于所述键合托盘上，所述连接弹簧伸入所述孔位内且与所述硅片接触，通电后，所述硅片、连接弹簧、键合托盘形成键合通路。本发明采用键合托盘为中间件，在第一玻璃片上设置孔位，使硅片与键合托盘在连接弹簧的作用下呈相连状态，并且将键合托盘连接阳极，第二玻璃片连接阴极，有利于硅片第二次键合操作的顺利进行，大大提高键合成功率。
主权项：1.一种硅片的阳极键合方法，采用硅片的阳极键合装置，其特征在于，所述硅片10一表面已键合第一玻璃片20之后，所述键合装置将第二玻璃片30键合至所述硅片10的另一表面，所述第二玻璃片30与阴极连接，所述第一玻璃片20上设有孔位21，所述键合装置包括加热盘40、键合托盘50以及连接弹簧60，所述键合托盘50与阳极连接，所述连接弹簧60安装于所述键合托盘50上，所述连接弹簧60伸入所述孔位21内且与所述硅片10接触，通电后，所述硅片10、连接弹簧60、键合托盘50形成键合通路，所述硅片的阳极键合方法包括以下步骤：S1、在第一玻璃片20的无效区域内打孔，形成的孔位21与连接弹簧60位置对应；S2、将第一玻璃片20与硅片10阳极键合，完成硅片10的第一次键合处理，此时第一玻璃片20键合于硅片10一表面上；S3、在第一玻璃片20的未键合面上进行金属图形化处理，使第一玻璃片20的孔位21位置处形成的金属结构与硅片10相连，形成电路导通结构；S4、对金属图形化处理后的硅片10进行减薄处理，减薄后对硅片10进行深硅刻蚀处理，做出敏感结构层；S5、将第二玻璃片30贴附于硅片10的另一表面，使键合装置的治具与金属图形化处理后的金属结构相连，使电路导通，对硅片10进行第二次键合。
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百度查询： 苏州森丸电子技术有限公司 一种硅片的阳极键合装置及其键合方法
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