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摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底内具有栅极结构，所述衬底暴露出所述栅极结构顶部表面，所述栅极结构相对两侧的衬底内形成有掺杂区；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述掺杂区与所述栅极结构；在所述层间介质层中形成接触孔，所述接触孔暴露出所述掺杂区表面；在所述接触孔底部形成未掺杂半导体层，所述未掺杂半导体层与所述掺杂区表面接触。本发明能够降低器件的GIDL电流，减小静态功耗。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有栅极结构，所述衬底暴露出所述栅极结构顶部表面，所述栅极结构相对两侧的所述衬底内形成有掺杂区；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述掺杂区与所述栅极结构；在所述层间介质层中形成接触孔，所述接触孔暴露出所述掺杂区表面；在所述接触孔底部形成未掺杂半导体层，所述未掺杂半导体层与所述掺杂区表面接触；在所述未掺杂半导体层表面形成填充满所述接触孔的上层半导体层，且所述上层半导体层具有掺杂离子。
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