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摘要：本申请公开了一种读出电路、存储器以及存储器数据的读出方法，该读出电路包括读出放大器和隔离单元；该读出放大器通过隔离单元连接位线和互补位线，位线和互补位线分别连接存储单元；隔离单元被配置为响应隔离信号断开所述读出放大器与所述位线、互补位线之间的连接；偏移消除单元，所述偏移消除单元被配置为响应偏移消除信号对所述读出放大器进行偏移消除，且所述位线或所述互补位线与所述存储单元之间电荷共享的至少部分阶段和所述偏移消除单元工作的至少部分阶段同时进行，避免了引入偏移消除后存储器访问行地址到访问列地址的存储器单元之间的周期TRCD被延长的情况，减小了TRCD延时，提高了存储器的存取速度。
主权项：1.一种读出电路，其特征在于，包括：读出放大器和隔离单元，所述读出放大器通过所述隔离单元连接位线和互补位线，所述位线和所述互补位线分别连接存储单元；所述隔离单元被配置为在偏移消除阶段响应隔离信号断开所述读出放大器与所述位线、所述互补位线之间的连接；偏移消除单元，所述偏移消除单元被配置为响应偏移消除信号对所述读出放大器进行偏移消除，且所述位线或所述互补位线与所述存储单元之间电荷共享的至少部分阶段和所述偏移消除单元工作的至少部分阶段同时进行。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 一种读出电路、存储器以及存储器数据的读出方法
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