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摘要：本发明实施例中提供的一种基于β辐射伏特效应砷化镓GaAs基同位素电池，包括GaAs基换能单元、设置于所述GaAs基换能单元上的辐致发光材料层、设置于所述辐致发光材料层上的β辐射同位素源，通过采用含有电子空穴传输层的GaAs基换能单元结构，增强辐生电子‑空穴对的输运与收集，提出GaAs基辐致伏特光伏双重效应同位素电池结构，解决半导体材料的辐照损伤问题，实现辐生光生电子空穴对的高效利用，提高电池器件输出性能。
主权项：1.一种基于β辐射伏特效应砷化镓GaAs基同位素电池，其特征在于，包括GaAs基换能单元、设置于所述GaAs基换能单元上的辐致发光材料层、设置于所述辐致发光材料层上的β辐射同位素源；所述GaAs基换能单元包括由下至上依次设置的N面电极、GaAs衬底层、缓冲层、背散层、基层、发射层、窗口层、帽子层和P面电极，所述辐致发光材料层设置在所述P面电极。
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百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池
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