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摘要：本发明提供一种Nor闪存阵列。该Nor闪存阵列包括行列排布的多个存储单元，多个存储单元位于基底的一阱区的范围内，每个存储单元包括串联的多个存储管；阱区的基底顶部具有第一掺杂区，同一存储单元中，多个存储管的栅极结构沿列方向排布在第一掺杂区的基底上方，第一掺杂区中与一存储管的栅极结构位置对应的区域为一个存储管的沟道区，相邻两个存储管的沟道区之间未存在PN结，且相邻两个存储管通过相邻两个存储管的栅极结构之间的第一掺杂区连接，如此有利于增加存储管的沟道长度，提高存储管的控制性，同时使得存储管之间的排列更加紧密，提高Nor闪存阵列的性能和经济性。本发明还提供上述Nor闪存阵列的操作方法。
主权项：1.一种Nor闪存阵列，其特征在于，包括行列排布的多个存储单元，所述多个存储单元位于基底的一阱区的范围内，每个所述存储单元包括串联的多个存储管；所述阱区的基底顶部具有第一掺杂区，同一所述存储单元中，多个所述存储管的栅极结构沿列方向排布在所述第一掺杂区的基底上方，相邻两个所述存储管的栅极结构之间仅填充绝缘材料，所述第一掺杂区中与一所述存储管的栅极结构位置对应的区域为一个所述存储管的沟道区，相邻两个存储管的沟道区之间未存在PN结，且相邻两个存储管通过所述相邻两个存储管的栅极结构之间的第一掺杂区连接；每个所述存储单元还包括一位线选择管和一源线选择管；同一所述存储单元中，所述位线选择管和所述源线选择管位于所述串联的多个存储管的两端，所述位线选择管靠近存储管的一端与相邻的存储管连接，所述位线选择管远离所述存储管的一端与位线连接，所述源线选择管靠近存储管的一端与相邻的存储管连接，所述源线选择管远离存储管的一端与共同源线连接。
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百度查询： 宁波领开半导体技术有限公司 Nor闪存阵列及其操作方法
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