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一种Cr3+、Tb3+掺杂ZnGa2O4荧光粉及其制备方法 

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摘要:一种Cr3+、Tb3+掺杂ZnGa2O4荧光粉及其制备方法,其中荧光粉在ZnGa2O4中Cr3+的掺杂量为1mol%,Tb3+的掺杂量为xmol%,其中x大于0。该荧光粉在432nm蓝紫光的激发下在710nm附近有明显的红光发射,其热释光峰温在366K左右,证明该荧光粉中较浅陷阱的存在,发光波长在695nm左右。同时该荧光粉存在热展宽现象,而且产生余辉的慢衰退时间为687s,快衰退的时间为89s。因此本发明的荧光粉的化学稳定性好、余辉亮度高、余辉时间长,可用于照明和医学成像等领域。

主权项:1.一种Cr3+、Tb3+掺杂ZnGa2O4荧光粉的制备方法,其特征在于:Cr3+、Tb3+掺杂ZnGa2O4荧光粉为在ZnGa2O4中Cr3+的掺杂量为1mol%,Tb3+的掺杂量为xmol%,其中x为0.1~5;Cr3+由Cr2O3提供,Tb3+由Tb4O7提供;ZnGa2O4由ZnO和Ga2O3制备而成;由如下步骤制备而成:S1、根据化学计量比称取ZnO、Ga2O3、Cr2O3和Tb4O7至容器中;S2、在容器中加入无水乙醇,研磨至粉状体,得到前驱体;S3、将前驱体在空气氛围下烧结,得到所述Cr3+、Tb3+掺杂ZnGa2O4荧光粉;所述S3具体为先将前驱体在空气氛围下升温至280℃~320℃保持18min~25min,再升温至980℃~1020℃保持1.5h~2.5h,然后冷却至室温后研磨至粉状体,得到所述Cr3+、Tb3+掺杂ZnGa2O4荧光粉。

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