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摘要：本发明公开了一种边缘钝化的TOPCon电池、制备方法及装置，涉及晶体硅太阳电池制造技术领域，包括以下步骤：S1：制绒；S2：硼扩散；S3：SE激光掺杂；S4：氧化；S5：碱抛；S6：Poly非晶硅掺杂工序；S7：退火；S8：激光划片；S9：RCA清洗；S10：ALD沉积；S11：正面PECVD镀膜；S12：背面PECVD镀膜；S13：丝网印刷；S14：测试。本发明在制程RCA清洗工序前增加激光划片切割硅片，然后再进行RCA清洗，通过在电池端进行切割并在切割面上做边缘钝化，减少切割面的界面复合，提高电池和组件的功率，组件功率可提升至5.8W，从而改善组件切割损失及CTM偏低的问题。

主权项：1.一种边缘钝化的TOPCon电池的制备装置，所述TOPCon电池由以下步骤制备获得，S1：制绒：在硅片的正面形成绒面；S2：硼扩散：在硅片的正面形成硼掺杂层，形成电池片的PN结的发射级；S3：SE激光掺杂：在硼掺杂面增加SE激光掺杂，形成选择性重掺，未SE的区域轻掺；S4：氧化：在硼扩散面的表面再次推结，并且表面生长BSG层；S5：碱抛：在硅片的背面进行碱抛光；S6：Poly非晶硅掺杂工序：在硅片的背面进行非晶硅原位掺杂形成磷掺杂非晶硅层；S7：退火：磷掺杂非晶硅层退火形成磷掺杂多晶硅层；S8：激光划片：将硅片进行激光划片，分成2分片或多分片；划片后的硅片通过制备装置上的第一输送机构（1）和第二输送机构（2）进行输送，在输送的过程中通过制备装置上的压紧组件对硅片进行固定，并通过折断组件对硅片进行折断；S9：RCA清洗：对硅片的正面绕镀的poly硅进行去除和正背面的BSG层和PSG层进行清洗去除，并且对激光切割面进行清洗；S10：ALD沉积：对硅片的正面硼扩面进行ALD原子沉积氧化铝镀膜；S11：正面PECVD镀膜：对硅片正面进行PECVD沉积多层钝化减反射钝化膜；S12：背面PECVD镀膜：对硅片背面进行PECVD沉积多层钝化减反射钝化膜；S13：丝网印刷：对硅片的正背面进行金属化印刷形成正负电极；S14：测试：对TOPCon电池电性能、EL及外观进行测试分选；其特征在于，TOPCon电池的制备装置包括第一输送机构（1）、第二输送机构（2）以及设置在第二输送机构（2）下方的第三输送机构（3），还包括压紧组件和折断组件，所述压紧组件在电池片（15）输送的过程中对电池片（15）进行压紧固定，所述折断组件在所述压紧板（4）压紧电池片后对电池片（15）进行折断；还包括第一固定架（7），所述第一固定架（7）上固定设置有固定板（8），且第一固定架（7）上滑动设置有滑动板（9），所述压紧组件包括压紧板（4），所述压紧板（4）上设置有第一滑块（20），所述固定板（8）上开设有第一导向槽，所述第一滑块（20）活动设置在第一导向槽内，所述第一导向槽内设置有弹性件（21）；所述折断组件包括折断板（5），所述压紧板（4）与折断板（5）通过转动轴转动连接，且转动轴上套设有扭矩弹簧；所述折断板（5）上转动设置有伸缩杆（23），所述伸缩杆（23）的一端设置有第三滑块（24），所述滑动板（9）上开设有第二导向槽，所述第三滑块（24）活动设置在第二导向槽内；所述第一导向槽包括开设在固定板（8）上的下压槽（16），以及与所述下压槽（16）连通的压紧槽（17），所述压紧槽（17）的一侧开设有上移槽（18），所述上移槽（18）与下压槽（16）之间通过第一复位槽（19）连通；所述第二导向槽包括开设在滑动板（9）上的第一水平槽（29），以及开设在第一水平槽（29）末端的竖直槽（30），所述竖直槽（30）的末端开设有第二水平槽（32），所述第二水平槽（32）与所述第一水平槽（29）之间通过第二复位槽（31）连通；所述折断板（5）上滑动设置有滑动座（25），所述滑动座（25）的下方转动设置有压辊（26），所述滑动座（25）上活动设置有拉杆（27），所述拉杆（27）与第二杆体（232）之间设置有连杆（35），以使得在所述伸缩杆（23）伸缩时，带动所述压辊（26）运动；所述拉杆（27）的一端设置有活动轴（33），所述滑动座（25）上开设有与所述活动轴（33）相适配的U形槽（34），所述活动轴（33）活动设置在U形槽（34）内。

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