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摘要：本实用新型公开的一种碳化硅结型场效应管，属于场效应管技术领域；包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅衬底部设置漏极导电层，N型碳化硅外延层顶部两侧设置有P+注入区，P+注入区内设置N+注入区，P+注入区顶部设置有与N+注入区对应的源极导电层，两个源极导电层之间设置有栅极导电层，栅极导电层底部设置栅极条，栅极条下方设置氧化层，氧化层抵压置于两个P+注入区之间，通过栅极导电层与P+注入区两侧接触，P+注入区将N+注入区包围，在N+注入区在P+注入区上形成隔绝体，可有效防止栅极导电层与N+注入区直接接触，通过P+注入区将N+注入区包围，并且利用下外延层和N+注入区之间的绝缘层，有效的隔绝了载流子的跃迁。
主权项：1.一种碳化硅结型场效应管，包括N型碳化硅衬底6、N型碳化硅外延层5，所述N型碳化硅衬底6部设置漏极导电层7，N型碳化硅外延层5顶部两侧设置有P+注入区4，其特征在于：P+注入区4内侧设置N+注入区2，P+注入区4顶部设置有与N+注入区2对应的源极导电层1，两个源极导电层1之间设置有栅极导电层3，栅极导电层3底部设置栅极条9，栅极条9下方设置氧化层8，氧化层8抵压置于两个P+注入区4之间。
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百度查询： 深圳市宇宏微电子科技有限公司 一种碳化硅结型场效应管
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