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摘要:本实用新型提供了一种射频芯片结构,包括第一芯片结构与第二芯片结构,第一芯片结构与第二芯片结构通过第一介电层和第二介电层键合,以使得形成于第一芯片结构上的第一电感区与形成于第二芯片结构上的第二电感区电性连通,以形成多层电感器;并通过在第一第二芯片结构上形成的钝化层中的通孔将第一电感区及第二电感区引至钝化层的表面。该方案有效提高了电感器的电感值及品质因数。且第一电感区第二电感区对应的第一衬底结构第二衬底结构的位置设有第一开孔槽,从而降低了电感器与同一衬底上其他器件的磁耦合效应,降低了电感器的等效串联电阻,进一步提高了电感器的品质因数,开槽的衬底还可用于形成其他器件,增加了射频芯片的集成度。
主权项:1.一种射频芯片结构,其特征在于,包括:第一芯片结构,包括第一衬底结构以及依次形成在所述第一衬底结构上的第一绝缘层、第一器件层和第一介电层;所述第一芯片结构设置有第一器件区、第一电感区和第一金属互连区;所述第一器件区设置于所述第一器件层内,所述第一金属互连区和所述第一电感区设置于所述第一介电层内,所述第一电感区与所述第一器件区为上下错位设置;第二芯片结构,包括第二衬底结构以及依次形成在所述第二衬底结构上的第二绝缘层、第二器件层和第二介电层;所述第二芯片结构设置有第二器件区、第二电感区和第二金属互连区;所述第二器件区设置于所述第二器件层内,所述第二金属互连区和所述第二电感区设置于所述第二介电层内,所述第二电感区与所述第二器件区为上下错位设置;其中,所述第一芯片结构和所述第二芯片结构通过所述第一介电层和所述第二介电层作为键合面键合,以将所述第一电感区和所述第二电感区电性连通;所述第一衬底结构第二衬底结构至少包括钝化层,所述钝化层设置有通孔,所述通孔贯穿所述第一第二衬底结构、第一第二绝缘层和所述第一第二器件层,连通至所述第一第二介电层中的第一第二电感区,所述通孔内填充有导电介质,以将所述第一电感区以及所述第二电感区引至所述钝化层表面;所述第一电感区第二电感区对应的第一衬底结构第二衬底结构的位置设有第一开孔槽,以露出所述第一绝缘层第二绝缘层。
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