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摘要:本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法。所述存储单元,包括写晶体管和读晶体管。写晶体管包括:第一栅极、第一源极、第一漏极以及位于第一源极和第一漏极之间的沟道体;其中,第一栅极与写字线相连接,第一源极与源极线相连接,第一漏极与写位线相连接。读晶体管包括:第二栅极、第二源极和第二漏极;第二栅极与读字线相连接,第二漏极与读位线相连接,第二源极与写晶体管的所述沟道体相耦接。本公开可以提高存储单元的传感裕度和数据保持功能,从而提升存储器的存储性能。
主权项:1.一种存储单元,其特征在于,包括:写晶体管,包括:第一栅极、第一源极、第一漏极以及位于所述第一源极和所述第一漏极之间的沟道体;其中,所述第一栅极与写字线相连接,所述第一源极与源极线相连接,所述第一漏极与写位线相连接;读晶体管,包括:第二栅极、第二源极和第二漏极;所述第二栅极与读字线相连接,所述第二漏极与读位线相连接,所述第二源极与所述写晶体管的所述沟道体相耦接。
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百度查询: 长鑫存储技术有限公司 存储单元、存储器及其制备方法
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