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存储器器件、半导体器件及其制造方法 

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摘要:本申请的实施例公开了存储器器件、半导体器件及其制造方法。存储器器件包括存储器单元,存储器单元包括设置在衬底的前侧上的第一晶体管和第二晶体管,衬底具有第一区和第二区。存储器器件包括设置在衬底的背侧上的第一互连结构。第一晶体管的一个SD端子耦合到第二晶体管的一个SD端子,而第二晶体管的另一SD端子通过第一区中的第一通孔结构耦合到第一互连结构。存储器器件包括第二通孔结构和第三通孔结构,均设置在第二区中并且各自耦合到第一互连结构。第一通孔结构和第二通孔结构各自具有不同于第三通孔结构的截面面积。

主权项:1.一种存储器器件,包括:存储器单元,包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管均设置在衬底的第一侧上;第一互连结构,设置在所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧上,其中,所述第一晶体管的第一源极漏极端子是浮置的,所述第一晶体管的第二源极漏极端子耦合到所述第二晶体管的第一源极漏极端子,并且所述第二晶体管的第二源极漏极端子耦合到所述第一互连结构;第一通孔结构,设置在所述衬底的第一区中并且被配置为将所述第二晶体管的所述第二源极漏极端子耦合到所述第一互连结构;多个第二通孔结构,设置在所述衬底的第二区中并且各自耦合到所述第一互连结构;以及第三通孔结构,设置在所述衬底的所述第二区中并且各自耦合到所述第一互连结构,其中,所述第一通孔结构和所述第二通孔结构各自具有第一截面面积,并且所述第三通孔结构具有不同于所述第一截面面积的第二截面面积。

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器器件、半导体器件及其制造方法

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