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申请/专利权人：株式会社力森诺科
申请日：2022-07-08
公开（公告）日：2024-12-20
公开（公告）号：CN119173987A
专利技术分类：....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流[2006.01]
专利摘要：本发明的半导体装置的制造方法具有下述步骤：在使树脂膜介于半导体元件和基板之间的状态下、使上述半导体元件中的焊料层与上述基板中的金属凸部的前端相接触而将上述半导体元件层叠于上述基板上的步骤，其中，上述半导体元件具备在前端部具有上述焊料层的突起电极，上述基板在与上述半导体元件的具备上述突起电极那侧的面相向侧的面上具备表面具有上述金属凸部的电极垫；以及通过加热将上述焊料层熔融、从而将上述基板与上述半导体元件连接的步骤。
专利权项：1.一种半导体装置的制造方法，其具有下述步骤：在使树脂膜介于半导体元件和基板之间的状态下、使所述半导体元件中的焊料层与所述基板中的金属凸部的前端相接触而将所述半导体元件层叠于所述基板上的步骤，其中，所述半导体元件具备在前端部具有所述焊料层的突起电极，所述基板在与所述半导体元件的具备所述突起电极那侧的面相向侧的面上具备表面具有所述金属凸部的电极垫；以及通过加热将所述焊料层熔融、从而将所述基板与所述半导体元件连接的步骤。
百度查询： 株式会社力森诺科 半导体装置的制造方法、基板以及半导体元件
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