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申请/专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日：2019-09-05
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN114303318B
专利技术分类：..具有单个谐振器（晶体调谐音叉入H03H9/21）[2006.01]
专利摘要：一种体声波谐振装置200，包括：第一层，其中，第一层包括位于第一侧的第一空腔；第一电极层，位于第一侧，第一电极层的第一端接触第一层，第一电极层的第二端位于第一空腔内；第二层，位于第一电极层上；以及第二电极层，位于第二层上，其中，第一电极层上与第二电极层重合的第一部分位于第一空腔内。由于谐振区209与第一层没有重合部，谐振区209相对于第一空腔悬空，可以提升谐振区209和非谐振区的声学阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，第二层包括压电层205，压电层205不包括明显转向的晶体，从而可以有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及Q值。
专利权项：1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：第一层，所述第一层包括位于第一侧的第一空腔；第一电极层，所述第一电极层的第一端接触所述第一层，所述第一电极层的第二端位于所述第一空腔内；第二层，位于所述第一侧，位于所述第一电极层上，所述第二层为平层，覆盖所述第一空腔；以及第二电极层，位于所述第一侧，位于所述第二层上；其中，所述第一电极层上与所述第二电极层重合的第一部分位于所述第一空腔内；所述第二层包括：压电层，所述压电层包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体；沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶体的高，沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶体的高，其中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。
百度查询： 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置、体声波滤波装置
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