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一种聚偏氟乙烯基介电复合材料、复合薄膜及其制备方法专利

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申请/专利权人:浙江巨化技术中心有限公司

申请日:2024-10-25

公开(公告)日:2025-01-17

公开(公告)号:CN119320540A

专利技术分类:...偏二氟乙烯的均聚物或共聚物[2006.01]

专利摘要:本发明公开了一种聚偏氟乙烯基介电复合材料,包括聚偏氟乙烯基聚合物、热致液晶聚合物、改性二硫化钼和马来酸酐接枝改性聚丙烯,其中,热致液晶聚合物包括Xydar、Vectra、Ueno和Rodrun中的至少一种。本发明的聚偏氟乙烯基介电复合材料,通过在复合材料中引入热致液晶聚合物,其与复合材料中的聚偏氟乙烯基聚合物、马来酸酐接枝改性聚丙烯和改性二硫化钼共同作用,不仅改善了复合材料的拉伸强度和加工性能,而且提高了复合材料的介电常数和介电强度,并降低了介电损耗。

专利权项:1.一种聚偏氟乙烯基介电复合材料,其特征在于,包括聚偏氟乙烯基聚合物、热致液晶聚合物、改性二硫化钼和马来酸酐接枝改性聚丙烯。

百度查询: 浙江巨化技术中心有限公司 一种聚偏氟乙烯基介电复合材料、复合薄膜及其制备方法

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