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申请/专利权人：三菱电机株式会社
申请日：2024-04-28
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325272A
专利技术分类：
专利摘要：本发明的目的在于提供能够减小无效区域并且抑制包覆膜的剥离的技术。半导体装置的制造方法包括：准备半导体构造体的准备工序、和对切割线区域进行切割的切割工序。侧监视电极的厚度比包覆膜的厚度小，在包覆膜与侧监视电极之间的距离b[μm]、和俯视时切割线区域的延伸方向上的侧监视电极的长度d[mm]之间，15＞b＞1.15×d+6.88成立。
专利权项：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：准备工序，准备规定了半导体芯片的终端区域和俯视观察时与所述终端区域相邻的切割线区域的半导体构造体；和切割工序，对所述切割线区域进行切割，所述半导体构造体包括：半导体基板，其规定了所述终端区域以及所述切割线区域；侧监视电极，其设置在所述切割线区域的所述半导体基板上；钝化膜，其从所述终端区域的所述半导体基板的上部设置到所述侧监视电极的上部；以及包覆膜，其设置在所述终端区域的所述钝化膜上，所述侧监视电极的厚度比所述包覆膜的厚度小，在所述包覆膜与所述侧监视电极之间的距离b[μm]、和俯视时所述切割线区域的延伸方向上的所述侧监视电极的长度d[mm]之间，15＞b＞1.15×d+6.88成立。
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置的制造方法
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