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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日：2023-06-30
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325752A
专利技术分类：
专利摘要：根据本发明实施例的第一成像装置包括：具有相对的第一表面和第二表面且包括布置成矩阵的像素的半导体基板；针对各个像素以嵌入半导体基板的方式形成并通过光电转换产生与受光量相对应的电荷的光电转换部；在相邻像素之间设置在第一表面上并暂时保持在针对各个相邻像素设置的光电转换部中产生的电荷的浮动扩散层；设置成围绕共用浮动扩散层的像素并从第一表面贯穿到第二表面的第一沟槽部；至少设置在浮动扩散层上方，从第二表面朝向第一表面延伸，并具有位于半导体基板中的底部的第二沟槽部；以及设置成与底部接触的氧化物膜。
专利权项：1.一种光检测器，包括：半导体基板，所述半导体基板具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述半导体基板包括布置成矩阵的多个像素；多个光电转换部，所述多个光电转换部是针对各个所述像素以嵌入在所述半导体基板中的方式形成的，并通过光电转换产生与受光量相对应的电荷；多个浮动扩散层，所述多个浮动扩散层在彼此相邻的所述多个像素之间设置在所述半导体基板的所述第一表面上，所述多个浮动扩散层暂时保持在针对彼此相邻的各个所述像素设置的所述多个光电转换部中产生的所述电荷；第一沟槽部，所述第一沟槽部设置成围绕共用所述浮动扩散层的所述多个像素，并从所述半导体基板的所述第一表面穿透到所述第二表面；第二沟槽部，所述第二沟槽部至少设置在所述多个浮动扩散层的上方，并从所述半导体基板的所述第二表面朝向所述第一表面延伸，所述第二沟槽部具有位于所述半导体基板中的底部；以及氧化膜，所述氧化膜设置成与所述第二沟槽部的所述底部接触。
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 光检测器
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