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申请/专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日：2023-06-07
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325525A
专利技术分类：..向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种使用薄膜前驱体化合物的薄膜形成方法、由此制备的半导体基板及半导体器件，根据本发明，提供一种薄膜前驱体化合物、使用其的薄膜形成方法及由此制备的半导体基板，其使用由规定的化学式2表示的薄膜前驱体化合物，具有以下的效果：沉积速度非常快，在注入至薄膜沉积腔室时易于处理，尤其，由于具有显著的热稳定性而纯度非常高且台阶覆盖性优异，进而，抑制副反应，从而降低薄膜生长率，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能够大幅提高台阶覆盖性stepcoverage及薄膜的厚度均匀性，并提高薄膜的密度，从而大幅提高薄膜的电特性。
专利权项：1.一种薄膜前驱体化合物，其特征在于，由化学式2表示，[化学式2]ML1L2L3L4L5hL6i所述M为选自由钼、钨、铬及组成的组中的一种以上，并具有0、+3、+4、+5、+6的电荷及6的配位数，所述L1、L2、L3、L4、L5及L6独立地选自由NRaRb、ORc、NRc、CO、RdCp、脒基、胍基、乙二胺、丙二胺及碳原子数为3至15且被一种以上的氮、氧、磷或硫取代的直链或环状饱和或不饱和烃组成的组中，所述Cp为环戊二烯基，所述Ra、Rb、Rc及Rd独立地为氢或碳原子数为1至12的烷基，所述h及i独立地为0或1，化合物的总氧化数为-2至6的整数，选自所述L1、L2、L3、L4、L5及L6中的一种以上的配体是碳原子数为3至15且被一种以上的氮、氧、磷或硫取代的直链或环状饱和或不饱和烃。
百度查询： 秀博瑞殷株式公社 薄膜前驱体化合物、使用其的薄膜形成方法及由此制备的半导体基板
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